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  • PF-300T
  • PF-200T
  • 12英寸PECVD設備PF-300T
    產品介紹:
    PF-300T 是國家十一五重大專項所支持,由我自主研發的 12英寸 PECVD 設備,擁有 100%知識產權。其用於 40-28納米集成電路的生產,具有 14-5納米技術的延伸性。設備成本(CoO)及性能指標達到世界領先水平。設備已在多家國內及台灣企業的大規模集成電路及先進封裝生產線(TSV)實施量產,充分展現國產半導體設備的實力與成果。
    產品特點:
    國際水平的性能指標
    量產驗證的SiO2,SiN,SiON及TEOS SiO2標準工藝
    可依客戶選擇配置1-3路液態源,實現多種先進工藝
    具備TSV所需的低溫(<200℃)TEOS SiO2工藝
    可與8英寸兼容互相切換
    具有國際領先的產能和CoO
    通過S2安全認證和F47標準檢驗
  • 8英寸PECVD設備PF-200T
    產品介紹:
    PF-200T 是由我基於 PF 係列平台,自主研發的 8 英寸 PECVD 設備,硬件結構以及係統穩定性和 PF-300T 保持一致,並已在國內各大企業經過嚴格的量產驗證。PF-200T 和國際同類型二手設備相比,具有產能高,維護費用低的優勢,還可為客戶提供完善的售後及工藝開發等服務。並可升級到 12英寸,或實現 8/12 英寸相互切換。設備另具有低溫 TEOS 的 SiO2 工藝,適用於三維集成電路生產(3D IC)中的 TSV 工藝。
    產品特點:
    按行業最新標準,全新設計製造
    采用行業現有標準零部件,降低維護成本
    國際領先的生產成本(CoO)及性能指標
    可搭載 1-3 個 PM
    成熟的 SiO2,SiN,SiON 及 TEOS SiO2 標準工藝
    可配置 1-3 路液態源,實現摻雜工藝
    具備 TSV 所需的低溫(<200℃)TEOS SiO2 工藝
    通過最新 S2 安全認證和 F47 標準檢驗
  • 12英寸ALD設備FT-300T
    產品介紹:
    FT-300T 係列是我自主研發的原子層沉積(Atomic Layer Deposition)設備,反應腔搭載在已通過生產驗證的高產能 PECVD 平台上,充分實現 ALD 設備對產能的需求。現已應用於超大規模集成電路,OLED 及先進封裝(TSV)領域。ALD 技術一次沉積一層原子層薄膜,並針對 14nm 以下 FEOL 前道工藝進行合作開發。能有效覆蓋及填充高深寬比的孔洞。現可提供具有高質量的 SiO2,SiN,Al2O3 薄膜,陸續拓展金屬氧化物及金屬氮化物等薄膜的應用。
    產品特點:
    國際領先的生產成本(CoO)及性能指標
    可搭載1-3個PM
    具有優異的均勻性和優異的保形性
    可配置Plasma Enhanced ALD及Thermal ALD
    ALD薄膜在高寬比(20:1)情況下台階覆蓋率可達到95%
    通過S2安全認證和F47標準檢驗
  • 12英寸3D-NAND PECVD設備NF-300H
    產品介紹:
    NF-300H 設備由拓荊科技承擔了國家十三五重大專項,自主研發,是國產首台應用於新一代三維閃存芯片(3D NAND)生產線上的等離子體化學氣相薄膜沉積設備,擁有 100% 自主知識產權。目前可實現超過 128 對的 SiO2、SiN(ONON)多層薄膜堆疊結構,在顆粒度、粗糙度、應力及產能四大關鍵方麵實現突破,設備性能指標達到同類產品國際先進水平,具備產業化能力及市場競爭力。
    產品特點:
    國際領先的生產成本(CoO)及性能指標
    可搭載1-3個PM
    穩定的薄膜性能指標及工藝表現
    不同種類薄膜沉積的快速切換,高產能化
    能夠滿足300-600℃的高溫沉積的要求
    多層噴淋頭結構設計,快速氣相切換
    通過S2安全認證和F47標準檢驗
  • 技術服務及零部件
    客戶技術支持:
    在機台設備保質期內,本將對非人為造成的軟、硬件上的問題為客戶提供及時的維修,以保證客戶工廠生產的正常進行。
    本在機台設備保質期內提供給客戶充分的備用件,保質期後,客戶可以購買方式取得備用部件的補充。
    依客戶所提需求,本的工程師保證於24小時內到達客戶現場給予支援。
  • 12英寸單腔PECVD設備

    產品介紹: 

    SC-300以12寸PECVD設備架構為基礎,專為LED生產線、高校、研究所及企業研發機構所設計研發,可做2-12英寸的工藝,可選TEOS等液態源配置,適用於半導體、MEMS、光伏,封裝等行業

PF-300T

產品介紹:
產品介紹:
PF-300T 是國家十一五重大專項所支持,由我自主研發的 12英寸 PECVD 設備,擁有 100%知識產權。其用於 40-28納米集成電路的生產,具有 14-5納米技術的延伸性。設備成本(CoO)及性能指標達到世界領先水平。設備已在多家國內及台灣企業的大規模集成電路及先進封裝生產線(TSV)實施量產,充分展現國產半導體設備的實力與成果。
產品特點:
國際水平的性能指標
量產驗證的SiO2,SiN,SiON及TEOS SiO2標準工藝
可依客戶選擇配置1-3路液態源,實現多種先進工藝
具備TSV所需的低溫(<200℃)TEOS SiO2工藝
可與8英寸兼容互相切換
具有國際領先的產能和CoO
通過S2安全認證和F47標準檢驗

PF-200T

產品介紹:
產品介紹:
PF-200T 是由我基於 PF 係列平台,自主研發的 8 英寸 PECVD 設備,硬件結構以及係統穩定性和 PF-300T 保持一致,並已在國內各大企業經過嚴格的量產驗證。PF-200T 和國際同類型二手設備相比,具有產能高,維護費用低的優勢,還可為客戶提供完善的售後及工藝開發等服務。並可升級到 12英寸,或實現 8/12 英寸相互切換。設備另具有低溫 TEOS 的 SiO2 工藝,適用於三維集成電路生產(3D IC)中的 TSV 工藝。
產品特點:
按行業最新標準,全新設計製造
采用行業現有標準零部件,降低維護成本
國際領先的生產成本(CoO)及性能指標
可搭載 1-3 個 PM
成熟的 SiO2,SiN,SiON 及 TEOS SiO2 標準工藝
可配置 1-3 路液態源,實現摻雜工藝
具備 TSV 所需的低溫(<200℃)TEOS SiO2 工藝
通過最新 S2 安全認證和 F47 標準檢驗

FT-300T

產品介紹:
產品介紹:
FT-300T 係列是我自主研發的原子層沉積(Atomic Layer Deposition)設備,反應腔搭載在已通過生產驗證的高產能 PECVD 平台上,充分實現 ALD 設備對產能的需求。現已應用於超大規模集成電路,OLED 及先進封裝(TSV)領域。ALD 技術一次沉積一層原子層薄膜,並針對 14nm 以下 FEOL 前道工藝進行合作開發。能有效覆蓋及填充高深寬比的孔洞。現可提供具有高質量的 SiO2,SiN,Al2O3 薄膜,陸續拓展金屬氧化物及金屬氮化物等薄膜的應用。
產品特點:
國際領先的生產成本(CoO)及性能指標
可搭載1-3個PM
具有優異的均勻性和優異的保形性
可配置Plasma Enhanced ALD及Thermal ALD
ALD薄膜在高寬比(20:1)情況下台階覆蓋率可達到95%
通過S2安全認證和F47標準檢驗

NF-300H

產品介紹:
產品介紹:
NF-300H 設備由拓荊科技承擔了國家十三五重大專項,自主研發,是國產首台應用於新一代三維閃存芯片(3D NAND)生產線上的等離子體化學氣相薄膜沉積設備,擁有 100% 自主知識產權。目前可實現超過 128 對的 SiO2、SiN(ONON)多層薄膜堆疊結構,在顆粒度、粗糙度、應力及產能四大關鍵方麵實現突破,設備性能指標達到同類產品國際先進水平,具備產業化能力及市場競爭力。
產品特點:
國際領先的生產成本(CoO)及性能指標
可搭載1-3個PM
穩定的薄膜性能指標及工藝表現
不同種類薄膜沉積的快速切換,高產能化
能夠滿足300-600℃的高溫沉積的要求
多層噴淋頭結構設計,快速氣相切換
通過S2安全認證和F47標準檢驗

技術服務及零部件

產品介紹:
客戶技術支持:
在機台設備保質期內,本將對非人為造成的軟、硬件上的問題為客戶提供及時的維修,以保證客戶工廠生產的正常進行。
本在機台設備保質期內提供給客戶充分的備用件,保質期後,客戶可以購買方式取得備用部件的補充。
依客戶所提需求,本的工程師保證於24小時內到達客戶現場給予支援。

SC-300

產品介紹:

產品介紹: 

SC-300以12寸PECVD設備架構為基礎,專為LED生產線、高校、研究所及企業研發機構所設計研發,可做2-12英寸的工藝,可選TEOS等液態源配置,適用於半導體、MEMS、光伏,封裝等行業

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